通过不同的体系或者计算，杆石可以得到能量值如吸附能，活化能等等。
桥街北京高压科学研究中心陈斌研究员团队和重庆大学黄晓旭教授团队联合多个科研团队利用金刚石砧芯和x射线衍射仪对不同平均晶粒尺寸的纯镍样品的屈服应力和变形纹理进行了研究。道垃实现了在金属过渡金属二卤化物（m-TMDs）和半导体TMD（s-TMDs）之间的二维vdWH阵列的普世合成策略。
圾分图9.PMN-28PT晶体照片对比[参考文献][1] ZhuJin,et al., Hydrophobiczeolitemodificationfor in situperoxideformationinmethane oxidationtomethanol.Science,2020,367,193-197.[2] Wentao Yuan,etal., VisualizingH2OmoleculesreactingatTiO2 activesiteswithtransmissionelectronmicroscopy.Science, 2020,428-430.[3] RunzeMa,et al., Atomicimagingoftheedgestructureandgrowthofatwo-dimensional hexagonalice. Nature, 2020,577,60-63.[4]GuowenYuan,etal., Proton-assistedgrowthofultra-flatgraphenefilms. Nature, 2020,577,204–208.[5]ZhiguoDuetal., Conversionofnon-vanderWaalssolidsto2D transition-metalchalcogenides.Nature2020,577,492–496.[6]JiaLi,etal.,Generalsynthesisoftwo-dimensionalvanderWaalsheterostructurearrays.Nature2020,579,368-374.[7]WanghuaiXu,etal., Adroplet-basedelectricitygeneratorwithhigh instantaneouspowerdensity.Nature,2020,578,392–396.[8] XiaolingZhou, etal.,High-pressurestrengtheninginultrafine-grainedmetals.Nature, 2020,579,67–72.[9]ChaoruiQiu,etal.,Transparentferroelectriccrystalswithultrahighpiezoelectricity.Nature,2020,577,350-354.本文由nanooptic供稿。类环[3]图3.实验装置和二维双层冰的STM和AFM图像。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，保童投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP。
杆石这些见解有助于通过材料工程对超强金属的持续研究。将传统的界面效应转化为体效应，桥街从而使瞬时功率密度比受界面效应限制的等效器件提高几个数量级。
Nature：道垃一种超平滑石墨烯薄膜的CVD制备方法化学气相沉积法生长的石墨烯薄膜具有不同寻常的物理和化学性质，道垃有望应用于柔性电子和高频晶体管等领域。
[4]图4.石墨烯皱纹形成和避免的示意图Nature：圾分非范德华固体向二维过渡金属硫族化合物的转化虽然二维原子层，圾分如过渡金属硫族化合物，已经被广泛地利用剥离和气相生长等技术合成，但要获得相控的二维结构仍然是一个挑战。但是，类环由于激光激发时在界面处产生的诱导等离子体，使衬底表面产生了粗糙度，粗糙度范围为60~90nm。
保童化学lift-off是一种通过在有源器件层和衬底之间插入可选择性蚀刻的牺牲层来制备独立式外延薄膜的方法。杆石2DLT技术利用了vdWE和外延技术的优点来生成free-standing单晶膜。
Liftoff方法能够将epilayer转移到任何的衬底上，桥街并且如果衬底在liftoff过程中没有损坏，昂贵的衬底还可以反复使用，从而降低器件生产的总成本。[20]图7（中）显示了采用化学外延lift-off和kirigami线切割图形制作的集成薄膜晶体GaAs太阳能电池，道垃显示出接近单轴跟踪性能。